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Entegris GPU 35氣體凈化器:半導(dǎo)體工藝的超純氣體核心保障

閱讀次數(shù):90    發(fā)布時間:2026-04-21 16:46:52

GPU 35采用新一代純化介質(zhì)技術(shù),將氣體雜質(zhì)去除至ppt(萬億分之一)級別,從根本上保障了工藝氣體的超高純度。其核心技術(shù)優(yōu)勢在于常溫運行、無需外接電源或加熱裝置、可再生設(shè)計等特點,在大幅降低運營成本的同時顯著延長了設(shè)備使用壽命,成為低流量精密工藝中不可或缺的關(guān)鍵組件。

核心技術(shù)

與傳統(tǒng)氣體凈化器需要加熱或通電才能運行不同,GPU 35利用專有的高選擇性純化介質(zhì),在環(huán)境溫度下即可實現(xiàn)對水分、氧氣、揮發(fā)性金屬等多類雜質(zhì)的深度吸附和捕獲,全程無需外部能源輸入。這一技術(shù)突破不僅消除了加熱元件帶來的安全風(fēng)險和能耗成本,更意味著設(shè)備可在連續(xù)運行狀態(tài)下長期保持穩(wěn)定的凈化性能,從根本上簡化了安裝和運維流程。

GPU 35的純化介質(zhì)針對不同氣體類型提供了多樣化選擇——NX介質(zhì)適用于氮氣等惰性氣體,F(xiàn)X、HX、CX等介質(zhì)則分別對應(yīng)腐蝕性氣體、氫氣等不同應(yīng)用場景,使一臺設(shè)備能夠覆蓋半導(dǎo)體工藝中多種關(guān)鍵氣體的凈化需求。同時,內(nèi)置的Wafergard®出口顆粒過濾器可將殘留顆粒物截留至0.0015 μm級別,實現(xiàn)“分子級凈化+顆粒級過濾”的雙重保障。

性能參數(shù)一覽

參數(shù)類別 具體指標(biāo)
峰值流量 1 slpm(標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘)
H?O出口純度 <1 ppbV
O?出口純度 <1 ppbV
金屬出口純度 <1 ppbV
泄漏等級 1×10?? atm cc/sec of He
工作溫度 0°C–65°C
外殼材質(zhì) 316L不銹鋼
安裝方向 水平/垂直均可,無方向限制
可再生 是(需由Entegris或授權(quán)服務(wù)商執(zhí)行)
認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) CE認(rèn)證(PED),符合ASME設(shè)計標(biāo)準(zhǔn),ISO 9001:2000/2015工廠制造

GPU 35的核心優(yōu)勢總結(jié):

① 常溫純化技術(shù),零能耗運行,顯著降低運營成本和維護復(fù)雜度;

② 出口雜質(zhì)純度低于1 ppbV,達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先的超高純水平;

③ 內(nèi)置納米級顆粒過濾器,同時解決分子雜質(zhì)和顆粒污染雙重問題;

④ 廣泛的腐蝕性氣體兼容能力,覆蓋Cl?、HBr、HCl等18種以上工藝氣體;

⑤ 可再生設(shè)計有效延長使用壽命,減少廢棄物產(chǎn)生,降低綜合擁有成本;

⑥ 安裝方向無限制,適應(yīng)多種系統(tǒng)布局需求,集成靈活度高。

場景化應(yīng)用

半導(dǎo)體干法蝕刻工藝

干法蝕刻是半導(dǎo)體制造中利用等離子體對晶圓表面進(jìn)行選擇性刻蝕的關(guān)鍵工序,使用的腐蝕性氣體(如Cl?、HBr、SF?等)必須保持極高純度。工藝氣體中若存在微量水分或揮發(fā)性金屬顆粒,將直接導(dǎo)致蝕刻速率不均、側(cè)壁形貌異常,嚴(yán)重時甚至造成CMOS柵極堆棧結(jié)構(gòu)失效。GPU 35專為腐蝕性氣體純化設(shè)計,其高級純化介質(zhì)可同步去除18種腐蝕性氣體中的水分和金屬雜質(zhì),配合內(nèi)置過濾器,在氣體進(jìn)入蝕刻腔體前完成雙重凈化。對于1 slpm以內(nèi)的低流量蝕刻工藝點,GPU 35能夠以零能耗運行方式持續(xù)提供ppt級純度的氣體供應(yīng),有效降低因氣體污染導(dǎo)致的晶圓缺陷率。

氣相色譜儀/質(zhì)譜儀分析系統(tǒng)

在氣相色譜(GC)和質(zhì)譜(MS)等精密分析儀器中,載氣和輔助氣的純度直接決定了分析結(jié)果的準(zhǔn)確性與重復(fù)性。即使是痕量級的水分或氧氣殘留,也可能導(dǎo)致色譜基線漂移、質(zhì)譜背景噪聲升高,甚至干擾待測組分的分離與檢測。GPU 35峰值流量恰好匹配分析儀器對載氣的流量需求,通過NX純化介質(zhì)將氮氣等惰性載氣中的H?O、CO?等雜質(zhì)降至1 ppbV以下,確保分析基線穩(wěn)定、峰形對稱、檢出限降低。同時,其常溫運行、低壓降的設(shè)計特點,使GPU 35可直接串聯(lián)接入現(xiàn)有氣路系統(tǒng),無需額外配置電源或改造管路,極大簡化了實驗室設(shè)備的集成流程。

LED外延生長工藝

LED芯片制造中的外延生長工序?qū)怏w純度有著近乎苛刻的要求。MOCVD(金屬有機化學(xué)氣相沉積)工藝使用的載氣(如高純氮氣、氫氣)若含有微量雜質(zhì),將直接影響外延層的晶體質(zhì)量,導(dǎo)致發(fā)光效率下降、波長偏移等良率問題。GPU 35憑借常溫純化和可再生兩大技術(shù)特點,為LED外延工藝中的低流量載氣純化提供了經(jīng)濟高效的解決方案——一方面,無需加熱的運行模式消除了因溫控波動帶來的純化性能不穩(wěn)定性;另一方面,可再生能力使設(shè)備使用壽命大幅延長,降低了產(chǎn)線頻繁更換凈化器的停機成本和物料支出。對于追求成本控制和工藝一致性的LED制造商而言,GPU 35是實現(xiàn)氣體純化環(huán)節(jié)“低投入、高穩(wěn)定”的理想選擇。

總結(jié)

Entegris GPU 35氣體凈化器以常溫純化技術(shù)為核心,為低流量超高純度氣體應(yīng)用場景提供了高可靠性的解決方案。該產(chǎn)品出口雜質(zhì)純度低于1 ppbV,顆粒過濾精度達(dá)0.0015 μm,兼容18種以上腐蝕性氣體,且無需外部能源即可持續(xù)運行。在半導(dǎo)體干法蝕刻、精密分析儀器及LED外延生長等對氣體純度有嚴(yán)苛要求的領(lǐng)域中,GPU 35以低壓降設(shè)計、可再生特性及靈活安裝方式,有效降低了工藝污染風(fēng)險與綜合運營成本,是保障關(guān)鍵工藝穩(wěn)定性的核心組件。


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